据闪德资讯获悉，在生成式AI、高性能运算（HPC）及数据中心对内存带宽与效率需求大增推动下，新一代内存标准DDR6正式进入发展阶段，朝着量产迈进。
预计DDR6 2027年进入大规模导入期。
三星、美光与SK海力士全球三大DRAM原厂，率先开启开发计划，围绕DDR6内存芯片、主控与封装模组进行技术验证与产品布局。
根据JEDEC（固态技术协会）推进计划，DDR6规范2024年底完成草案，LPDDR6草案2025年第二季对外发布，2026年进入平台测试与验证阶段。
DDR6在性能与架构上有重大突破，起始传输速率达8800MT/s，产品生命周期内最高可达17600MT/s，整体性能比DDR5提升2-3倍。
架构方面DDR6采用4x24bit子通道设计，比DDR5的2x32bit架构在平行处理效率等方面更具优势，但对模组I/O设计与信号完整性要求更高。
传统288-pin DIMM插槽难以支持DDR6，由戴尔首创、并经JEDEC推动标准化CAMM2（Compression Attached Memory Module 2）架构，结合高带宽、高密度、低阻抗与薄型化设计，解决传统插槽限制，已有多家厂商已投入相关测试与开发。
技术开发方面，三大DRAM原厂已完成DDR6原型芯片设计，与主控厂商及Intel、AMD平台展开接口协同测试。
下一代CPU预计2026年支持DDR6，涵盖AI服务器、HPC系统与高端笔记本等领域。
业内指出，全球产业链已积极投入模组设计、封装工艺与连接器技术创新，抢占高性能运算市场。
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